Ahn og hans hold så ønskede at gøre et smart ur eller en smartphone-sized fleksible skærm.
Molybdæn disulfid har en meget god præstation som en 2D halvledermateriale, det vil sige, de er let bøjet. Elektroner kan bevæge sig hurtigt i sådanne halvledere. På samme tid er sådan halvledere gennemsigtig, fordi de er kun omkring en atom tyk. Disse funktioner gør dem ideelle til at gøre fleksible OLED viser. Men når producenter forsøger at behandle molybdæn disulfid i transistorer, der styrer OLED pixels, modstand mellem molybdæn disulfid (MoS2) og source og drain af transistoren vil være for høj, hvilket gør denne fremragende materiale umuligt. Få app. Nu, koreansk ingeniører har fundet en måde at anvende molybdæn disulfid transistorer på fleksible OLED-skærme. De brugte denne transistor til at danne en enkelt 6 x 6 dot matrix på en måling kun 7 mikron tyk plastfolie. Dette stykke plastik kan anvendes på menneskers hud. Denne enkle plastfolie display er meget bløde og kan bøjes uden at bøje på en bøje radius på mindre end 1 cm.
Jong-Hyun Ahn, en fleksibelt elektronik ekspert på Yonsei Universitet i Seoul, forklarede, at "luftfartsselskabet mobilitet" er de nøgleresultatindikatorer, de skal tackle. Denne egenskab måler hastigheden hvormed afgift passerer gennem halvleder. For eksempel har bruges til at gøre de fleste chips, krystallinsk silicium, materialet luftfartsselskabet mobilitet af 1400 kvadratcentimeter pr. volt-sekund (cm2/V-s). Halvledere, der udgør skærmen backplane er systemer til switching og lysende pixel. Kræves luftfartsselskabet mobilitet skal kunne drive nok strøm til at drive disse pixel samt video bit sats. "For traditionelle LCD-skærme, deres backsheets kan foretages fra Amorfe silicium med lavere luftfartsselskabet mobilitet," Ahn sagde. Materialet har en elektron mobilitet på ca. 1 cm2/V-sek. Men OLED-skærme kræver højere luftfartsselskabet mobilitet. OLED display fabrikanter, herunder LG og Samsung, bruge højere mobilitet materialer såsom polysilicon (> 10 cm 2 /V-sec) og oxid halvledere. Men "disse materialer er hårdt og sprødt," Ahn sagde. De kan være bøjet til en vis grad, men de kan ikke være bøjet flere gange.
En molybdæn disulfid transistor er klemt af to lag af aluminiumoxid (Al2O3) fra de øvre og nedre retninger. Denne enhed har høj mobilitet, og høj mobilitet er afgørende for at levere strøm til pixels på en OLED-skærm. For at gøre en ultra-tynd fleksibel OLED display, Ahn og hans hold skulle frigive molybdæn disulfid fra transistor "fanget" det. Ahn sagde: "den kontakte modstand mellem molybdæn disulfid og transistor elektrode er meget høj, og den høje modstand vil reducere luftfartsselskabet mobilitet af molybdæn disulfid transistor." Nøglen til at løse problemet er at anerkende, at 2D halvledere er meget modtagelige for omkringliggende materialer. . I modsætning til de sædvanlige midler til markedsføring transistorer på overfladen af siliciumoxid, bruger Ahn's team materialer, der er meget glat og let at kontrollere. De klemt transistoren i to lag af isolerende aluminium oxid. Grænsefladen mellem aluminium oxid og molybdæn disulfid øger elektroner i halvleder, svarende til fænomenet doping kemikalier til silicium materiale til at gøre det en halvleder. Dette enhancement overvinder problemet med høje kontakt modstand og forbedrer ladning luftfartsselskabet mobilitet. Den glatte dielektrisk materiale skaber desuden ikke pletter, der kan fælde afgift, nøjere stigende mobilitet til 17 til 20 kvadratcentimeter pr. volt-sekunder.
De rapporterede opfindelse til kladden videnskab fremskridt i denne uge.
